胡小波
  • 职称：教授
  • 所在单位：晶体材料研究院
教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

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标题：
Nucleation mechanism of GaN crystal growth on porous GaN/sapphire substrates
点击次数：
所属单位：
晶体材料研究院
发表刊物：
CrystEngComm
第一作者：
刘磊
论文编号：
DA60497533284E7981D34A73964DAA73
期号：
24
页面范围：
1840
字数：
5000
是否译文：
否
发表时间：
2022-02-03
发表时间：
2022-02-03
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