标题：
Nucleation mechanism of GaN crystal growth on porous GaN/sapphire substrates
点击次数：
所属单位：
晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
论文名称：
Nucleation mechanism of GaN crystal growth on porous GaN/sapphire substrates
发表刊物：
CrystEngComm
第一作者：
刘磊
论文编号：
DA60497533284E7981D34A73964DAA73
期号：
24
页面范围：
1840
字数：
5000
是否译文：
否
发表时间：
2022-02
发布时间：
2022-05-15
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）