标题：
Fabrication of a 2 inch free standing porous GaN crystal film and application in the growth of relaxed crack-free thick GaN
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所属单位：
新一代半导体材料研究院
论文名称：
Fabrication of a 2 inch free standing porous GaN crystal film and application in the growth of relaxed crack-free thick GaN
发表刊物：
CrystEngComm
第一作者：
刘磊
论文编号：
E88578C2C177453189CF279BD1BF982A
期号：
23
页面范围：
7245
字数：
5000
是否译文：
否
发表时间：
2021-09
发布时间：
2022-05-16
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）