标题：
Nucleation mechanism of GaN crystal growth on porous GaN/sapphire substrates
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所属单位：
新一代半导体材料研究院
论文名称：
Nucleation mechanism of GaN crystal growth on porous GaN/sapphire substrates
发表刊物：
CRYSTENGCOMM
第一作者：
刘磊
论文编号：
52AE4BFE08514483BC24200655DD68FB
卷号：
24
期号：
10
页面范围：
1840
是否译文：
否
发表时间：
2022-03
发布时间：
2022-06-05
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）