胡小波
  • 职称:教授
  • 所在单位:晶体材料研究院
教师拼音名称:huxiaobo
入职时间:1997-09-01
所在单位:晶体材料研究院
性别:
在职信息:在职
是否在职:1

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标题:
Nucleation mechanism of GaN crystal growth on porous GaN/sapphire substrates
点击次数:
所属单位:
新一代半导体材料研究院
发表刊物:
CRYSTENGCOMM
第一作者:
刘磊
论文编号:
52AE4BFE08514483BC24200655DD68FB
卷号:
24
期号:
10
页面范围:
1840
是否译文:
发表时间:
2022-03-07
发表时间:
2022-03-07
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