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胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

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标题：

Fabrication of a 2 inch free standing porous GaN crystal film and application in the growth of relaxed crack-free thick GaN

点击次数：

所属单位：

新一代半导体材料研究院

发表刊物：

CRYSTENGCOMM

第一作者：

刘磊

论文编号：

C3867FFABC184F9BB1BBACD5493F69E6

卷号：

期号：

页面范围：

7245

是否译文：

否

发表时间：

2021-10-25

发表时间：

2021-10-25

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