标题：
Morphological and microstructural analysis of triangular defects in 4H-SiC homoepitaxial layers
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所属单位：
新一代半导体材料研究院
论文名称：
Morphological and microstructural analysis of triangular defects in 4H-SiC homoepitaxial layers
发表刊物：
CrystEngComm
第一作者：
于金英
论文编号：
1523586492268548098
卷号：
24
期号：
8
页面范围：
1582-1589
字数：
4000
是否译文：
否
发表时间：
2022-02
发布时间：
2022-10-29
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）