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胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

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标题：

Morphological and microstructural analysis of triangular defects in 4H-SiC homoepitaxial layers

点击次数：

所属单位：

新一代半导体材料研究院

发表刊物：

CrystEngComm

第一作者：

于金英

论文编号：

1523586492268548098

卷号：

期号：

页面范围：

1582-1589

字数：

4000

是否译文：

否

发表时间：

2022-02-28

发表时间：

2022-02-28

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