胡小波山东大学主页平台管理系统--中文主页

胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

标题：

Physical vapor transport growth of 4H-SiC on {000-1} vicinal surfaces

点击次数：

所属单位：

晶体材料研究院

发表刊物：

Materials Science Forum

第一作者：

胡小波

论文编号：

57A464475826494993222F4DE6B7475D

期号：

821

字数：

3000

是否译文：

否

发表时间：

2015-08-05

发表时间：

2015-08-05

上一条： Temperature-dependent photoluminescence spectra mechanism analysis of N–B co-doped 4H–SiC

下一条： Morphological and microstructural analysis of triangular defects in 4H-SiC homoepitaxial layers

扫一扫用手机查看