标题：
Physical vapor transport growth of 4H-SiC on {000-1} vicinal surfaces
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所属单位：
晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
论文名称：
Physical vapor transport growth of 4H-SiC on {000-1} vicinal surfaces
发表刊物：
Materials Science Forum
第一作者：
胡小波
论文编号：
57A464475826494993222F4DE6B7475D
期号：
821
字数：
3000
是否译文：
否
发表时间：
2015-08
发布时间：
2022-10-29
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）