标题：
Effect of electron avalanche breakdown on a high-purity semi-insulating 4H-SiC photoconductive semiconductor switch under intrinsic absorption
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所属单位：
新一代半导体材料研究院
论文名称：
Effect of electron avalanche breakdown on a high-purity semi-insulating 4H-SiC photoconductive semiconductor switch under intrinsic absorption
发表刊物：
Applied Optics
第一作者：
肖龙飞
论文编号：
7F9BBC411F9045D780AA79B2F19ACE54
期号：
11
页面范围：
2804
字数：
4000
是否译文：
否
发表时间：
2018-04
发布时间：
2022-10-29
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）