标题：
Basal plane bending of 4H-SiC single crystals grown by sublimation method with different seed attachment methods
点击次数：
所属单位：
晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
论文名称：
Basal plane bending of 4H-SiC single crystals grown by sublimation method with different seed attachment methods
发表刊物：
CRYSTENGCOMM
第一作者：
杨祥龙
论文编号：
2E6077265C5949209BF66E69849ED035
期号：
43
页面范围：
6957
字数：
2000
是否译文：
否
发表时间：
2018-11
发布时间：
2022-10-29
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）