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胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

标题：

Basal plane bending of 4H-SiC single crystals grown by sublimation method with different seed attachment methods

点击次数：

所属单位：

晶体材料研究院

发表刊物：

CRYSTENGCOMM

第一作者：

杨祥龙

论文编号：

2E6077265C5949209BF66E69849ED035

期号：

页面范围：

6957

字数：

2000

是否译文：

否

发表时间：

2018-11-21

发表时间：

2018-11-21

上一条： Effect of electron avalanche breakdown on a high-purity semi-insulating 4H-SiC photoconductive semiconductor switch under intrinsic absorption

下一条： Inhomogeneity of Minority Carrier Lifetime in 4H-SiC Substrates

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