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胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

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标题：

Growth of p-type 4H-SiC single crystals by physical vapor transport using p-type SiC powder

点击次数：

所属单位：

新一代半导体材料研究院

发表刊物：

CrystEng Comm

第一作者：

仲光磊

论文编号：

25FCCCAEF2E040C2B6642D5F6FCDC3EA

期号：

页面范围：

7690

字数：

5000

是否译文：

否

发表时间：

2022-10-04

发表时间：

2022-10-04

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