标题：
Growth of p-type 4H-SiC single crystals by physical vapor transport using p-type SiC powder
点击次数：
所属单位：
新一代半导体材料研究院
论文名称：
Growth of p-type 4H-SiC single crystals by physical vapor transport using p-type SiC powder
发表刊物：
CrystEng Comm
第一作者：
仲光磊
论文编号：
25FCCCAEF2E040C2B6642D5F6FCDC3EA
期号：
44
页面范围：
7690
字数：
5000
是否译文：
否
发表时间：
2022-10
发布时间：
2023-05-25
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）