标题：
Hot-zone design and optimization of resistive heater for SiC single crystal growth
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所属单位：
新一代半导体材料研究院
论文名称：
Hot-zone design and optimization of resistive heater for SiC single crystal growth
发表刊物：
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE Journal
第一作者：
王兴龙
论文编号：
E30905E21DD84A7D8F8435329EB0643D
期号：
19
字数：
3000
是否译文：
否
发表时间：
2024-05
发布时间：
2024-05-16
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）