标题：
Multiple P-Type SiC Micro-Island as Junction Termination Extension for 4H-SiC Schottky Barrier Diode
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所属单位：
新一代半导体材料研究院
论文名称：
Multiple P-Type SiC Micro-Island as Junction Termination Extension for 4H-SiC Schottky Barrier Diode
发表刊物：
IEEE Electron Device Letters
第一作者：
王新宇
论文编号：
1806576903362662402
字数：
3
是否译文：
否
发表时间：
2024-08
发布时间：
2024-09-15
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）