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胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

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标题：

Multiple P-Type SiC Micro-Island as Junction Termination Extension for 4H-SiC Schottky Barrier Diode

点击次数：

所属单位：

新一代半导体材料研究院

发表刊物：

IEEE Electron Device Letters

第一作者：

王新宇

论文编号：

1806576903362662402

字数：

是否译文：

否

发表时间：

2024-08-10

发表时间：

2024-08-10

下一条： Influence of Net Doping Concentration on Carrier Lifetime in 4H-SiC Substrates

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