胡小波山东大学主页平台管理系统--中文主页

胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

标题：

Influence of Net Doping Concentration on Carrier Lifetime in 4H-SiC Substrates

点击次数：

所属单位：

新一代半导体材料研究院

发表刊物：

Journal of Electronic Materials

第一作者：

邵宏宇

论文编号：

1770025704663310337

字数：

3000

是否译文：

否

发表时间：

2024-03-06

发表时间：

2024-03-06

上一条： Multiple P-Type SiC Micro-Island as Junction Termination Extension for 4H-SiC Schottky Barrier Diode

下一条： Improvement of the resistivity uniformity of 8-inch 4H–SiC wafers by optimizing the thermal field

扫一扫用手机查看