标题：
Influence of Net Doping Concentration on Carrier Lifetime in 4H-SiC Substrates
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所属单位：
新一代半导体材料研究院
论文名称：
Influence of Net Doping Concentration on Carrier Lifetime in 4H-SiC Substrates
发表刊物：
Journal of Electronic Materials
第一作者：
邵宏宇
论文编号：
1770025704663310337
字数：
3000
是否译文：
否
发表时间：
2024-03
发布时间：
2024-05-18
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）