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胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

标题：

Dislocation proliferation at the growth crystal seed interface of physical vapor transport grown 4H-SiC crystals

点击次数：

所属单位：

新一代半导体材料研究院

发表刊物：

Physica Script

第一作者：

李华东

论文编号：

FF0C35DE99D1460F9614190109978DC8

期号：

字数：

3000

是否译文：

否

发表时间：

2024-08-16

发表时间：

2024-08-16

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