标题：
Dislocation proliferation at the growth crystal seed interface of physical vapor transport grown 4H-SiC crystals
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所属单位：
新一代半导体材料研究院
论文名称：
Dislocation proliferation at the growth crystal seed interface of physical vapor transport grown 4H-SiC crystals
发表刊物：
PHYSICA SCRIPTA Journal
第一作者：
李华东
论文编号：
FF0C35DE99D1460F9614190109978DC8
期号：
99
字数：
3000
是否译文：
否
发表时间：
2024-08
发布时间：
2024-10-11
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）