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胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

标题：

Multi-Step junction termination extension design and simulation study for 4H-SiC Schottky barrier diode

点击次数：

所属单位：

新一代半导体材料研究院

发表刊物：

物理结果

第一作者：

Wang, Xinyu

论文编号：

1806576901185818626

卷号：

字数：

5000

是否译文：

否

发表时间：

2024-07-01

发表时间：

2024-07-01

上一条： Multiple P-Type SiC Micro-Island with Multi-Step as Termination for 4H-SiC Schottky Barrier Diode

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