标题：
Multi-Step junction termination extension design and simulation study for 4H-SiC Schottky barrier diode
点击次数：
所属单位：
新一代半导体材料研究院
论文名称：
Multi-Step junction termination extension design and simulation study for 4H-SiC Schottky barrier diode
发表刊物：
Results in Physics
第一作者：
Wang, Xinyu
论文编号：
36B4649A237D476EA6CEB102D291C92E
期号：
62 (2024) 107799
页面范围：
1
字数：
5000
是否译文：
否
发表时间：
2024-07
发布时间：
2025-05-24
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）