标题：
Threading dislocation classification for 4H-SiC substrates using the KOH etching method
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所属单位：
新一代半导体材料研究院
论文名称：
Threading dislocation classification for 4H-SiC substrates using the KOH etching method
发表刊物：
CrystEngComm
第一作者：
崔潆心
论文编号：
211BA6B55A17470D85B2CA4D878772A1
期号：
7
页面范围：
978
字数：
2
是否译文：
否
发表时间：
2018-02
发布时间：
2025-05-24
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）