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胡小波

职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）

教师姓名：胡小波
教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
性别：男
职称：教授
在职信息：在职
所属院系：晶体材料研究院

论文成果

[121] 徐现刚 , 陈秀芳 , 杨祥龙 , 彭燕 , 胡小波 and 陈秀芳. 高质量N 型SiC 单晶生长及其器件应用. 《人工晶体学报》, 2015.
[122] 陈秀芳 , 彭燕 , 徐现刚 and 胡小波. Physical vapor transport growth of 4H-SiC on {000-1} vicinal surfaces. Materials science forum, 2015.
[123] 徐现刚 and 胡小波. Infrared transmission and reflectivity measurements of 4H- and 6H-SiC single crystals. Materials science forum, 2015.
[124] 胡小波 and 徐现刚. Influence of the misorientation of 6H-SiC substrate on the quality of GaN epilayer grown by MOVPE. JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 509, 3656, 2011.
[125] 胡小波. Thermal conductivity of 4H-SiC single crystal. Journal of applied physics, 113, 053503-1, 2013.
[126] 彭燕 , 陈秀芳 , 胡小波 , 徐现刚 and 彭燕. 高质量半绝缘150 mm 4H-SiC 单晶生长研究. 《人工晶体学报》, 2016.
[127] 胡小波. Relationship between appearance crystalline planes and growth temperatures during sublimation growth of AlN crystals. Journal of crystal growth, 2006.
[128] 胡小波. Development of bulk SiC single crystal grown by physical vapor transport method. Optical Materials, 2003.
[129] 胡小波 and 胡小波. 同步辐射单色光形貌术观察6H-SiC单晶中的微管缺陷. 《人工晶体学报》, 33, 332, 2004.
[130] 胡小波. Comparison of Different Crucible Materials for the Growth of AlN Crystals. 《结构化学》, 2007.
[131] 胡小波. BN坩埚中的AIN单晶生长. 《人工晶体学报》, 2006.
[132] 胡小波. AlN单晶生长研究进展. 《人工晶体学报》, 2005.
[133] 胡小波 and 胡小波. 6H-SiC单晶的生长与缺陷. 硅酸盐学报, 2003.
[134] 彭燕 , 徐现刚 and 胡小波. Combustion synthesis of high purity SiC powder by radio-frequency heating. Ceramics International, 2013.
[135] 陈秀芳 , 徐现刚 , 胡小波 and 彭燕. Thermal conductivity of 4H-SiC single crystals. Journal of applied physics, 2013.

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