胡小波
  • 职称:教授
  • 所在单位:晶体材料研究院
教师拼音名称:huxiaobo
入职时间:1997-09-01
所在单位:晶体材料研究院
性别:
在职信息:在职
是否在职:1

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 专利
标题:
一种低应力高纯半绝缘SiC单晶的制备方法
点击次数:
所属单位:
晶体材料研究所
发明设计人:
陈秀芳,徐现刚,彭燕
申请号:
2016103085373
发明人数:
4
是否职务专利:
申请日期:
2016-05-10
申请日期:
2016-05-10
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