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胡小波
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院
教师拼音名称：
huxiaobo
入职时间：
1997-09-01
所在单位：
晶体材料研究院
性别：
男
在职信息：
在职
是否在职：
1
当前位置:
中文主页
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科学研究
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专利
标题：
一种掺锗SiC体单晶材料的生长方法
点击次数：
所属单位：
晶体材料研究所
发明设计人：
陈秀芳,徐现刚
申请号：
2016100455044
发明人数：
3
是否职务专利：
否
申请日期：
2016-01-22
申请日期：
2016-01-22
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一种大直径尺寸SiC籽晶的制备方法
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一种低应力高纯半绝缘SiC单晶的制备方法
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职称：教授
所在单位：晶体材料研究院