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胡小波
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院
教师拼音名称：
huxiaobo
入职时间：
1997-09-01
所在单位：
晶体材料研究院
性别：
男
在职信息：
在职
是否在职：
1
当前位置:
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科学研究
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专利
标题：
一种偏轴衬底用SiC晶体的生长及高电学均匀性的N型SiC衬底的制备方法
点击次数：
所属单位：
晶体材料研究所
发明设计人：
彭燕,徐现刚,陈秀芳
申请号：
2016103894895
发明人数：
4
是否职务专利：
否
申请日期：
2016-06-04
申请日期：
2016-06-04
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在大直径6H-SiC碳面上生长石墨烯的方法
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一种大直径尺寸SiC籽晶的制备方法
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职称：教授
所在单位：晶体材料研究院