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胡小波

职称：教授
所在单位：晶体材料研究院

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 专利

标题：

在大直径6H-SiC碳面上生长石墨烯的方法

点击次数：

所属单位：

晶体材料研究所

发明设计人：

陈秀芳,徐现刚

申请号：

201010541290.2

发明人数：

3

是否职务专利：

否

申请日期：

2010-11-12

申请日期：

2010-11-12

上一条：用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法

下一条：一种偏轴衬底用SiC晶体的生长及高电学均匀性的N型SiC衬底的制备方法

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