山东大学教师主页胡小波一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法中文主页

胡小波

教师姓名：胡小波
教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
性别：男
职称：教授
在职信息：在职
所属院系：晶体材料研究院

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标题：

一种简单、高效降低 SiC 单晶中碳包裹物的方法

点击次数：

专利名称：

一种简单、高效降低 SiC 单晶中碳包裹物的方法

所属单位：

新一代半导体材料研究院

专利类型：

发明

申请号：

201911190543.3

发明人数：

是否职务专利：

否

公开日期：

2021-05-28

授权日期：

2021-05-28

发布时间：

2021-11-13

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