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胡小波

职称：教授
所在单位：晶体材料研究院

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 专利

标题：

一种简单、高效降低 SiC 单晶中碳包裹物的方法

点击次数：

所属单位：

新一代半导体材料研究院

专利类型：

发明

申请号：

201911190543.3

发明人数：

5

是否职务专利：

否

公开日期：

2021-05-28

授权日期：

2021-05-28

公开日期：

2021-05-28

授权日期：

2021-05-28

上一条：一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法

下一条：一种基于偏振拉曼光谱对SiC晶体声子各向异性的测试方法

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