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胡小波
职称:教授
所在单位:晶体材料研究院
教师拼音名称:
huxiaobo
入职时间:
1997-09-01
所在单位:
晶体材料研究院
性别:
男
在职信息:
在职
是否在职:
1
当前位置:
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科学研究
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专利
标题:
一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法
点击次数:
所属单位:
晶体材料研究院
专利类型:
发明
申请号:
201810592023.4
发明人数:
5
是否职务专利:
否
申请日期:
2018-06-11
公开日期:
2020-12-08
授权日期:
2020-12-08
公开日期:
2020-12-08
申请日期:
2018-06-11
授权日期:
2020-12-08
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一种实现金刚石单晶衬底表面取向的方法
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一种简单、高效降低 SiC 单晶中碳包裹物的方法
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