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胡小波
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院
教师拼音名称：
huxiaobo
入职时间：
1997-09-01
所在单位：
晶体材料研究院
性别：
男
在职信息：
在职
是否在职：
1
当前位置:
中文主页
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科学研究
>>
专利
标题：
一种SiC单晶衬底及其制备方法与应用
点击次数：
所属单位：
新一代半导体材料研究院
专利类型：
发明
申请号：
202210119968.0
发明人数：
7
是否职务专利：
否
申请日期：
2022-01-28
公开日期：
2023-02-28
授权日期：
2023-02-28
公开日期：
2023-02-28
申请日期：
2022-01-28
授权日期：
2023-02-28
上一条：
一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法
下一条：
一种实现金刚石单晶衬底表面取向的方法
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职称：教授
所在单位：晶体材料研究院