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胡小波
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院
教师拼音名称：
huxiaobo
入职时间：
1997-09-01
所在单位：
晶体材料研究院
性别：
男
在职信息：
在职
是否在职：
1
当前位置:
中文主页
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科学研究
>>
专利
标题：
一种无定位边的SiC衬底加工及使用方法
点击次数：
所属单位：
新一代半导体材料研究院
专利类型：
发明
申请号：
202210438634.X
发明人数：
4
是否职务专利：
否
申请日期：
2022-04-25
公开日期：
2025-02-11
授权日期：
2025-02-11
公开日期：
2025-02-11
申请日期：
2022-04-25
授权日期：
2025-02-11
下一条：
一种p型SiC单晶生长的坩埚及方法
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职称：教授
所在单位：晶体材料研究院