胡小波
  • 职称：教授
  • 所在单位：晶体材料研究院
教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 专利
标题：
一种p型SiC单晶生长的坩埚及方法
点击次数：
所属单位：
新一代半导体材料研究院
专利类型：
发明
申请号：
202310026577.9
发明人数：
5
是否职务专利：
否
申请日期：
2023-01-09
公开日期：
2024-12-31
授权日期：
2024-12-31
公开日期：
2024-12-31
申请日期：
2023-01-09
授权日期：
2024-12-31
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最后更新时间：2018.9.8     访问量：