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彭燕

性别:女

在职信息:在职

所在单位:晶体材料研究院

入职时间:2011-08-16

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High-Performance Diamond Phototransistor with Gate Controllable Gain and Speed

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所属单位:新一代半导体材料研究院

发表刊物:Journal of Physical Chemistry Letters

第一作者:Ge, Lei

论文编号:1622498168047341569

卷号:14

期号:2

页面范围:592

字数:3

是否译文:

发表时间:2023-02-07

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