性别:女
在职信息:在职
所在单位:晶体材料研究院
入职时间:2011-08-16
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所属单位:新一代半导体材料研究院
发表刊物:Journal of Physical Chemistry Letters
第一作者:Ge, Lei
论文编号:1622498168047341569
卷号:14
期号:2
页面范围:592
字数:3
是否译文:否
发表时间:2023-02-07
上一条: SiC 单晶生长初期表面台阶及微管特性
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