性别：女
在职信息：在职
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
入职时间：2011-08-16
所属院系： 晶体材料研究院
手机版
最后更新时间：..
点击次数：
所属单位：新一代半导体材料研究院
发表刊物：Journal of Physical Chemistry Letters
第一作者：Ge, Lei
论文编号：1622498168047341569
卷号：14
期号：2
页面范围：592
字数：3
是否译文：否
发表时间：2023-02
发布时间：2024-05-24
上一条：SiC 单晶生长初期表面台阶及微管特性
下一条：Improvement of the resistivity uniformity of 8-inch 4H–SiC wafers by optimizing the thermal field
