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彭燕

性别:女

在职信息:在职

所在单位:晶体材料研究院

入职时间:2011-08-16

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SiC 单晶生长初期表面台阶及微管特性

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所属单位:新一代半导体材料研究院

发表刊物:硅酸盐学报

第一作者:仲光磊

论文编号:C9837A4B207D4FA39ED4D2F1AAB0891E

期号:8

字数:3000

是否译文:

发表时间:2022-08-01

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