性别:女
在职信息:在职
所在单位:晶体材料研究院
入职时间:2011-08-16
手机版
最后更新时间:..
点击次数:
所属单位:新一代半导体材料研究院
发表刊物:硅酸盐学报
第一作者:仲光磊
论文编号:C9837A4B207D4FA39ED4D2F1AAB0891E
期号:8
字数:3000
是否译文:否
发表时间:2022-08-01
上一条: Dislocation proliferation at the growth crystal seed interface of physical vapor transport grown 4H-SiC crystals
下一条: High-Performance Diamond Phototransistor with Gate Controllable Gain and Speed