Complementary Metal Oxide Semiconductor-Compatible, High-Mobility, < 111 >-Oriented GaSb Nanowires Enabled by Vapor-Solid-Solid Chemical Vapor Deposition
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所属单位:微电子学院
论文名称:Complementary Metal Oxide Semiconductor-Compatible, High-Mobility, < 111 >-Oriented GaSb Nanowires Enabled by Vapor-Solid-Solid Chemical Vapor Deposition
发表刊物:ACS nano
第一作者:杨再兴
论文类型:基础研究
论文编号:53BA057D71E447DE84E114E27345A86A
卷号: 11
期号:4
是否译文:否
发表时间:2017-04
发布时间:2019-04-13