杨再兴山东大学主页平台管理系统--中文主页

杨再兴 ( 教授 ) 赞
个人主页 http://faculty.sdu.edu.cn/yangzaixing/zh_CN/index.htm
教授博士生导师硕士生导师

论文成果当前位置：中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Growth and Photovoltaic Properties of High-Quality GaAs Nanowires Prepared by the Two-Source CVD Method

点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：Nanoscale research letters
第一作者：杨再兴
论文类型：基础研究
论文编号：64C17A825E30427683E7918788B76950
是否译文：否
发表时间：2016-04-12

上一条： Recent Advances in Group III–V Nanowire Infrared Detectors

下一条： Complementary Metal Oxide Semiconductor-Compatible, High-Mobility, < 111 >-Oriented GaSb Nanowires Enabled by Vapor-Solid-Solid Chemical Vapor Deposition