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  • 杨再兴 ( 教授 ) 赞

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Approaching the Hole Mobility Limit of GaSb Nanowires

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所属单位：微电子学院
发表刊物：ACS nano
第一作者：杨再兴
论文类型：基础研究
论文编号：0CECD9EFAA0041AE9EA2EBA42D7F8FDE
是否译文：否
发表时间：2015-08-17

 

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