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所属单位：微电子学院
论文名称：Low-temperature growth of highly crystalline beta-Ga2O3 nanowires by solid-source chemical vapor deposition
发表刊物：NANOSCALE RESEARCH LETTERS
第一作者：Ning Han
全部作者：杨再兴
论文类型：基础研究
论文编号：1F23DD25142844408B7F032278A916E3
是否译文：否
发表时间：2014-07
发布时间：2019-06-12