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Chalcogen passivation: an in-situ method to manipulate the morphology and electrical property of GaAs nanowires

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所属单位：微电子学院
发表刊物：scientific reports
全部作者：宋爱民,尹延学
第一作者：杨再兴
论文类型：基础研究
论文编号：D5BA3EB83706466D92951640EA0414B1
是否译文：否
发表时间：2018-05-02

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