杨再兴山东大学主页平台管理系统--中文主页

论文成果当前位置：中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

High-Performance Wrap-Gated InGaAs Nanowire Field-Effect Transistors with Sputtered Dielectrics

点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：Scientific reports
全部作者：杨再兴
第一作者：Li-Fan Shen
论文类型：基础研究
论文编号：577ABAB4A8324C98B5A6503601AA977A
是否译文：否
发表时间：2015-11-26

上一条： Growth of Ga2O3 Nanowires via Cu-As-Ga Ternary Phase Diagram

下一条： Chalcogen passivation: an in-situ method to manipulate the morphology and electrical property of GaAs nanowires