杨再兴山东大学主页平台管理系统--中文主页

论文成果当前位置：中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

< 110 >-growth orientation dependence of Ga2O3 nanowires on Cu3As seeds via vapor-solid-solid mechanism

点击次数：
所属单位：物理学院
发表刊物：JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
第一作者：Wang, Hang
论文编号：14FF331B65A44658B4543987926C3318
卷号：864
字数：5
是否译文：否
发表时间：2021-01-18

上一条： Ambipolar transport in Ni-catalyzed InGaAs nanowire field-effect transistors for near-infrared photodetection

下一条： In Situ Growth of GeS Nanowires with Sulfur-Rich Shell for Featured Negative Photoconductivity