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Ambipolar transport in Ni-catalyzed InGaAs nanowire field-effect transistors for near-infrared photodetection

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所属单位：物理学院
发表刊物：Nanotcchnology
第一作者：郭亚楠
论文编号：B7C57D2018A54150956241884F68D3B2
卷号：32
期号：14
字数：3500
是否译文：否
发表时间：2021-01-13

上一条： Stoichiometric effect on electrical and near-infrared photodetection properties of full-composition-range GaAs1-xSbx nanowires

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