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杨再兴 ( 教授 ) 赞
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一种表面活性剂辅助气相生长小直径、高性能 III-V 族半导体纳米线的方法

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专利名称：一种表面活性剂辅助气相生长小直径、高性能 III-V 族半导体纳米线的方法
所属单位：集成电路学院
专利类型：发明
申请号：201910400878.7
发明人数：1
是否职务专利：否
公开日期：2021-08-13
授权日期：2021-08-13
发布时间：2021-09-28

上一条：一种提高 p 型场效应晶体管空穴迁移率的方法