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专利名称：一种提高 p 型场效应晶体管空穴迁移率的方法
所属单位：物理学院
专利类型：发明
申请号：202010958811.8
发明人数：1
是否职务专利：否
公开日期：2021-10-15
授权日期：2021-10-15
发布时间：2021-10-20