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  • 杨再兴 ( 教授 ) 赞

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专利 当前位置： 中文主页 >> 科学研究 >> 专利
一种提高 p 型场效应晶体管空穴迁移率的方法

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所属单位：物理学院
专利类型：发明
申请号：202010958811.8
发明人数：1
是否职务专利：否
公开日期：2021-10-15
授权日期：2021-10-15

 

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