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Bias-Dependent Electron Velocity Extracted From AlGaN/GaN HFETs and Its Impact on gm and fT

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发表刊物：IEEE Electron Device Letters

全部作者：Yuanjie Lv,Heng Zhou,Peng Cui,Chao Liu

第一作者：Mingyan Wang

论文类型：期刊论文

通讯作者：Zhaojun Lin

是否译文：否

发表时间：2023-10-01

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刘超 (教授)