一种具有垂直保护环结构的垂直型Ⅲ族氮化物功率半导体器件结构及其制备方法
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所属单位：山东大学深圳研究院
第一作者：刘超
发明设计人：陈思豪
专利说明：本发明涉及一种具有垂直保护环结构的垂直型Ⅲ族氮化物功率半导体器件及其制备方法。本发明在垂直器件沟槽底部较薄区域内嵌入垂直保护环结构来缓解器件所存在的局部电场聚集效应，避免器件发生提前击穿。本发明适用于双端器件以及三端器件，能有效改善垂直型器件局部电场聚集问题，器件的反向耐压性能有着明显改善，同时器件的正向导通电阻没有明显衰退现象。展现了垂直型功率器件在高频、高功率器件领域实现商业化应用的巨大前景。
专利类型：发明
申请号：202210832395.6
是否职务专利：否
申请日期：2022-07-14
申请日期：2022-07-14