标题：
Temperature-dependent photoluminescence spectra mechanism analysis of N–B co-doped 4H–SiC
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所属单位：
晶体材料研究院
发表刊物：
Materials Science in Semiconductor Processing
第一作者：
彭燕
论文编号：
79F7E71051474A4C96BD6BBE95F455CA
期号：
148
字数：
4000
是否译文：
否
发表时间：
2022-08-27
发表时间：
2022-08-27
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院