山东大学教师主页胡小波 High mobility and large domain decoupled epitaxial graphene on SiC (000(1)over-bar) surface obtained by nearly balanced hydrogen etching 中文主页

胡小波

教师姓名：胡小波
教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
性别：男
职称：教授
在职信息：在职
所属院系：晶体材料研究院

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

标题：

高质量半绝缘150 mm 4H-SiC 单晶生长研究

点击次数：

所属单位：

晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）

论文名称：

高质量半绝缘150 mm 4H-SiC 单晶生长研究

发表刊物：

《人工晶体学报》

关键字：

数值模拟;PVT法

第一作者：

彭燕

论文编号：

C583D59BFC5149418BFCFE93A197334D

期号：

页面范围：

1145

是否译文：

否

发表时间：

2016-03

发布时间：

2022-10-29

上一条： Homoepitaxy Growth of Single Crystal Diamond under 300 torr Pressure in the MPCVD System

下一条： Temperature-dependent photoluminescence spectra mechanism analysis of N–B co-doped 4H–SiC

扫一扫用手机查看