标题：
Homoepitaxy Growth of Single Crystal Diamond under 300 torr Pressure in the MPCVD System
点击次数：
所属单位：
新一代半导体材料研究院
论文名称：
Homoepitaxy Growth of Single Crystal Diamond under 300 torr Pressure in the MPCVD System
发表刊物：
MATERIALS
第一作者：
胡小波
论文编号：
909C8F1752E347E8A4F8072978DDD687
期号：
23
字数：
3000
是否译文：
否
发表时间：
2019-12
发布时间：
2022-10-29
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）