胡小波山东大学主页平台管理系统--中文主页

胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

标题：

Homoepitaxy Growth of Single Crystal Diamond under 300 torr Pressure in the MPCVD System

点击次数：

所属单位：

新一代半导体材料研究院

发表刊物：

MATERIALS

第一作者：

胡小波

论文编号：

909C8F1752E347E8A4F8072978DDD687

期号：

字数：

3000

是否译文：

否

发表时间：

2019-12-28

发表时间：

2019-12-28

上一条： Revelation of the dislocations in the C face of 4HSiC substrates using a microwave plasma etching treatment

下一条：高质量半绝缘150 mm 4H-SiC 单晶生长研究

扫一扫用手机查看