标题：
Revelation of the dislocations in the C face of 4HSiC substrates using a microwave plasma etching treatment
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所属单位：
新一代半导体材料研究院
论文名称：
Revelation of the dislocations in the C face of 4HSiC substrates using a microwave plasma etching treatment
发表刊物：
CRYSTENGCOMM
第一作者：
彭燕
论文编号：
FE028CCECC824D29AC9F02E107A1EB6E
期号：
23
页面范围：
353
字数：
3000
是否译文：
否
发表时间：
2020-10
发布时间：
2022-10-29
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）