标题：
Growth and temperature-depending raman characterization of different nitrogen-doped 4H-SiC crystals
点击次数：
所属单位：
晶体材料研究院
发表刊物：
Materials Science Forum
关键字：
Electric properties;Hall mobility;Nitrogen;Nitrogen compounds;Phonons;Raman scattering;Silicon carbide;Single crystals
第一作者：
杨祥龙
论文编号：
F5F7E8C04B1C432F83B84D21E4A75475
期号：
897
页面范围：
307
字数：
2
是否译文：
否
发表时间：
2017-05-15
发表时间：
2017-05-15
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院