标题：
Growth and temperature-depending raman characterization of different nitrogen-doped 4H-SiC crystals
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所属单位：
晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
论文名称：
Growth and temperature-depending raman characterization of different nitrogen-doped 4H-SiC crystals
发表刊物：
Materials Science Forum
关键字：
Electric properties;Hall mobility;Nitrogen;Nitrogen compounds;Phonons;Raman scattering;Silicon carbide;Single crystals
第一作者：
杨祥龙
论文编号：
F5F7E8C04B1C432F83B84D21E4A75475
期号：
897
页面范围：
307
字数：
2
是否译文：
否
发表时间：
2017-05
发布时间：
2022-10-29
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）