标题：
Inhomogeneity of Minority Carrier Lifetime in 4H-SiC Substrates
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所属单位：
新一代半导体材料研究院
论文名称：
Inhomogeneity of Minority Carrier Lifetime in 4H-SiC Substrates
发表刊物：
CRYSTALLOGRAPHY REPORTS
第一作者：
杨祥龙
论文编号：
E7D5161140E74208B0CD32AB52BFCFD2
期号：
65
页面范围：
1231
是否译文：
否
发表时间：
2019-11
发布时间：
2022-10-29
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）