标题：
Origins and characterization techniques of stress in SiC crystals: A review
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所属单位：
新一代半导体材料研究院
论文名称：
Origins and characterization techniques of stress in SiC crystals: A review
发表刊物：
PROGRESS IN CRYSTAL GROWTH AND CHARACTERIZATION OF MATERIALS
第一作者：
田佳奇
论文编号：
7A7738E137AC4784903C8174DE36FE3A
期号：
70
字数：
3000
是否译文：
否
发表时间：
2024-02
发布时间：
2024-05-16
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）