胡小波山东大学主页平台管理系统--中文主页

胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

标题：

低位错密度8英寸导电型碳化硅单晶衬底制备

点击次数：

所属单位：

新一代半导体材料研究院

发表刊物：

Journal of Inorganic Materials

第一作者：

熊希希

论文编号：

1712640514601566209

页面范围：

1-2

字数：

3000

是否译文：

否

发表时间：

2023-09-15

发表时间：

2023-09-15

上一条： Reduction of threading screw dislocations in 4H-SiC crystals by physical vapor transport growth

下一条： Origins and characterization techniques of stress in SiC crystals: A review

扫一扫用手机查看