胡小波山东大学主页平台管理系统--中文主页

胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

标题：

Reduction of threading screw dislocations in 4H-SiC crystals by physical vapor transport growth

点击次数：

所属单位：

新一代半导体材料研究院

第一作者：

胡国杰

论文编号：

1655407611637108738

页面范围：

140-142

字数：

3000

是否译文：

否

发表时间：

2023-01-01

发表时间：

2023-01-01

上一条： Improvement of the resistivity uniformity of 8-inch 4H–SiC wafers by optimizing the thermal field

下一条：低位错密度8英寸导电型碳化硅单晶衬底制备

扫一扫用手机查看