标题：
Reduction of threading screw dislocations in 4H-SiC crystals by physical vapor transport growth
点击次数：
所属单位：
新一代半导体材料研究院
论文名称：
Reduction of threading screw dislocations in 4H-SiC crystals by physical vapor transport growth
发表刊物：
19th China International Forum on Solid State Lighting and 8th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors, SSLCHINA: IFWS 2022
第一作者：
胡国杰
论文编号：
1655407611637108738
页面范围：
140-142
字数：
3000
是否译文：
否
发表时间：
2023-01
发布时间：
2024-05-18
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）