标题：
Improvement of the resistivity uniformity of 8-inch 4H–SiC wafers by optimizing the thermal field
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所属单位：
晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
论文名称：
Improvement of the resistivity uniformity of 8-inch 4H–SiC wafers by optimizing the thermal field
发表刊物：
VACUUM
第一作者：
胡国杰
论文编号：
1754450207846453250
卷号：
222
字数：
3000
是否译文：
否
发表时间：
2024-04
发布时间：
2024-05-18
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）